FDA16N50-F109

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FDA16N50-F109
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Πακέτο	TO-3PN
Σε απόθεμα	80997 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Device Part Number Chg 30/May/2017 Postponed Qualification 27/Dec/2022 Mult Devices 24/Oct/2017 Dimension/Color Change 24/Feb/2021 onsemi RoHS Packing quantity increase 28/Dec/2020 Assembly/Test Site 14/Dec/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$1.061	$0.954	$0.782	$0.666	$0.561	$0.533	$0.513

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 80997 κομμάτια του onsemi FDA16N50-F109 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-3PN
Σειρά	UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 8.3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	205W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1945 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	500 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FDA16N50