FDD13AN06A0-F085
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDD13AN06A0-F085 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 121796 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Description Chg 01/Apr/2016Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMultiple Devices 13/Aug/2010FDD13AN06A0_F085 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.588 | $0.524 | $0.409 | $0.338 | $0.266 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 121796 κομμάτια του onsemi FDD13AN06A0-F085 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 115W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDD13AN06 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AAonsemi -
FDD10N20LZTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDD10AN06A0Q
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDD10AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AAonsemi -
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FDD13AN06A0_F085
MOSFET N-CH 60V 50A DPAKFairchild/ON Semiconductor -
FDD120AN15A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD120AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 14A DPAKonsemi -
FDD1600N10ALZD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6onsemi -
FDD13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAKonsemi -
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKonsemi -
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAonsemi -
FDD14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAFairchild Semiconductor -
FDD120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAKonsemi -
FDD1600N10ALZD
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4LFairchild Semiconductor -
FDD13AN06A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252onsemi -
FDD16AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDD107AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252onsemi