FDI150N10

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FDI150N10
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Πακέτο	I2PAK (TO-262)
Σε απόθεμα	82149 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS Logo 17/Aug/2017 Mult Devices 24/Oct/2017 Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021 Assembly Change 09/May/2023 FDI150N10

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$1.141	$1.026	$0.824	$0.677	$0.561	$0.522	$0.503

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 82149 κομμάτια του onsemi FDI150N10 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK (TO-262)
Σειρά	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 49A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	110W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4760 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	69 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	57A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FDI150