Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

FDS2170N3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FDS2170N3
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Πακέτο	8-SO FLMP
Σε απόθεμα	6245 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS Multiple Devices 03/Dec/2009 Mold Compound 27/March/2008 FDS2170N3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6245 κομμάτια του onsemi FDS2170N3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SO FLMP
Σειρά	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	128mOhm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1292 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FDS21