Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

FDS4435BZ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	FDS4435BZ
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Πακέτο	8-SOIC
Σε απόθεμα	317055 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mold Compound 12/Dec/2007 Logo 17/Aug/2017 Mult Devices 24/Oct/2017 Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018 onsemi REACH onsemi RoHS Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.263	$0.23	$0.177	$0.14	$0.112

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 317055 κομμάτια του onsemi FDS4435BZ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SOIC
Σειρά	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8.8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.5W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1845 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	40 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	FDS4435