FQB8N60CTM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQB8N60CTM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 6041 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6041 κομμάτια του onsemi FQB8N60CTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQB7P20TM-F085P
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAKonsemi -
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB7P20TM
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAKonsemi -
FQB8N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FQB8P10TM
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAKonsemi -
FQB9N15TM
MOSFET N-CH 150V 9A D2PAKonsemi -
FQB7P20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FQB8P10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB85N06TM_AM002
MOSFET N-CH 60V 85A D2PAKonsemi -
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAKonsemi -
FQB7P20TM-F085
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAKonsemi -
FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAKonsemi -
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAKonsemi -
FQB9N08LTM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAKonsemi -
FQB85N06TM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQB8N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKonsemi -
FQB8N25TM
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAKonsemi -
FQB8N25TM
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAKFairchild Semiconductor