FQD7N10LTM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD7N10LTM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 150162 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Mult Dev 13/Aug/2020FQD7N10L |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 |
|---|
| $0.234 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 150162 κομμάτια του onsemi FQD7N10LTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD7N10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD7N20LTF
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAKonsemi -
FQD7N30TF
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAKonsemi -
FQD7N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FQD6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD7N20TF
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAKonsemi -
FQD6P25TM
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAKonsemi -
FQD6P25TF
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAKonsemi -
FQD6P25TF
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAKonsemi -
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAKonsemi -
FQD7N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAKonsemi -
FQD6N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4A DPAKonsemi -
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAKonsemi -
FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKonsemi -
FQD7N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FQD6N60CTF
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQD7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKonsemi -
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAKonsemi -
FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAKonsemi