FQU10N20CTU
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQU10N20CTU |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| Πακέτο | I-PAK |
| Σε απόθεμα | 260636 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019FQD/ FQU10N20C |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 5040 |
|---|
| $0.129 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 260636 κομμάτια του onsemi FQU10N20CTU σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I-PAK |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 50W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQU10N20 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKFairchild Semiconductor -
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAKonsemi -
FQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKFairchild Semiconductor -
FQU13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 11A IPAKonsemi -
FQU11P06TU
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAKonsemi -
FQU13N06LTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU17P06TU
MOSFET P-CH 60V 12A IPAKonsemi -
FQU13N10LTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU13N06LTU-WS
MOSFET N-CH 60V 11A IPAKonsemi -
FQU17P06TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU13N10TU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAKonsemi -
FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi -
FQU10N20CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FQU13N06TU
MOSFET N-CH 60V 10A IPAKonsemi -
FQU11P06TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQU10N20TU_AM002
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi -
FQU12N20TU-T
IConsemi -
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAKFairchild Semiconductor -
FQU13N10LTU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAKonsemi -
FQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi