HUF75639S3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	HUF75639S3
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Πακέτο	I2PAK (TO-262)
Σε απόθεμα	77100 pcs
Φύλλο δεδομένων	Logo 17/Aug/2017 Mult Devices 24/Oct/2017 Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021 onsemi REACH onsemi RoHS Assembly Change 09/May/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$1.165	$1.048	$0.858	$0.731	$0.616	$0.585	$0.563

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 77100 κομμάτια του onsemi HUF75639S3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK (TO-262)
Σειρά	UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 56A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	200W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	130 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	56A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	HUF75639