Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

MTB30P06VT4G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	MTB30P06VT4G
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Πακέτο	D²PAK
Σε απόθεμα	4407 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS onsemi REACH Mult Dev Material Chg 2/Oct/2018 Multiple Devices 17/Apr/2015 MTB30P06V

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 4407 κομμάτια του onsemi MTB30P06VT4G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±15V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3W (Ta), 125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2190 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	80 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	MTB30