NTBG022N120M3S

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTBG022N120M3S
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Πακέτο	D2PAK-7
Σε απόθεμα	3741 pcs
Φύλλο δεδομένων	NTBG022N120M3S

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$11.498	$10.604	$9.055

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 3741 κομμάτια του onsemi NTBG022N120M3S σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 20mA
Vgs (Max)	+22V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK-7
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max)	234W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	20 nC @ 18 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTBG022