Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTBS9D0N10MC

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTBS9D0N10MC
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Πακέτο	D²PAK-3 (TO-263-3)
Σε απόθεμα	52954 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi REACH onsemi RoHS Assembly Change 09/May/2023 NTBS9D0N10MC

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$1.166	$1.046	$0.841

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 52954 κομμάτια του onsemi NTBS9D0N10MC σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 131µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK-3 (TO-263-3)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 23A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1695 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	23 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 60A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTBS9