Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTD110N02R-001G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTD110N02R-001G
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Πακέτο	I-PAK
Σε απόθεμα	4999 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS Multiple Devices 14/Apr/2010 NTD110N02R, STD110N02R

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 4999 κομμάτια του onsemi NTD110N02R-001G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I-PAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.5W (Ta), 110W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3440 pF @ 20 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	24 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12.5A (Ta), 110A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTD110