Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > NTD5865N-1G
NTD5865N-1G Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTD5865N-1G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή NTD5865N-1G
Κατασκευαστής onsemi
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Πακέτο DPAK
Σε απόθεμα 4974 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 05/Apr/2014onsemi REACHonsemi RoHSNTD5865N
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 4974 κομμάτια του onsemi NTD5865N-1G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DPAK
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 71W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1261 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 23 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης NTD58

Συνιστώμενα προϊόντα

NTD5865N-1G Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων