NTH4L060N090SC1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NTH4L060N090SC1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL |
| Πακέτο | TO-247-4L |
| Σε απόθεμα | 8907 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi REACHonsemi RoHSMultiple changes 15-Feb-2022NTH4L060N090SC1 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $6.246 | $5.742 | $4.85 | $4.314 | $3.957 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 8907 κομμάτια του onsemi NTH4L060N090SC1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-247-4L |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 20A, 18V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 221W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-4 |
| Πακέτο | Tube |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 450 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 87 nC @ 15 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 900 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200Vonsemi -
NTH4L040N65S3F
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4onsemi -
NTH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4onsemi -
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELIonsemi -
NTH4L075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5onsemi -
NTH4L067N65S3H
SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4onsemi -
NTH4L060N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650Vonsemi -
NTH4LN019N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
NTH4LN040N65S3H
NTH4LN040N65S3Honsemi -
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4onsemi -
NTH4L025N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1onsemi -
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247onsemi -
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
NTH4L045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELonsemi -
NTH4L028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERonsemi -
NTH519AD
FIXED INDPulse Electronics -
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247onsemi -
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4onsemi -
NTH503AF
FIXED INDPulse Electronics