Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

NTP8G202NG

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	NTP8G202NG
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Πακέτο	TO-220
Σε απόθεμα	5307 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS onsemi REACH 1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018 Mult Devices EOL 126/Jul/2018 NTP8G202N

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 5307 κομμάτια του onsemi NTP8G202NG σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Vgs (Max)	±18V
Τεχνολογία	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Έκλυση ενέργειας (Max)	65W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	8V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	NTP8G2