Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SSR1N60BTM

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SSR1N60BTM
Κατασκευαστής	onsemi
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Πακέτο	TO-252AA
Σε απόθεμα	6730 pcs
Φύλλο δεδομένων	onsemi RoHS SS(R,U)1N60B

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 6730 κομμάτια του onsemi SSR1N60BTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-252AA
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 450mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	215 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SSR1N