BSC009NE2LSATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC009NE2LSATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON |
Πακέτο | PG-TDSON-8-7 |
Σε απόθεμα | 112382 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.749 | $0.672 | $0.54 | $0.444 | $0.368 | $0.343 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 112382 κομμάτια του Infineon Technologies BSC009NE2LSATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TDSON-8-7 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 12 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 25 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | BSC009 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC 80 HTG 2TT50
THERMAL INTERFACE 250MM X 300MMAISMALIBAR -
BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSCATMA1
MOSFET N-CH 40V 282AInfineon Technologies -
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC007N04LS6SCATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC009N04LSSCATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSC 80 HTG 2GF50
THERMAL INTERFACE 250MM X 300MMAISMALIBAR -
BSC009NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6Infineon Technologies