Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > BSP129L6327
Infineon Technologies

BSP129L6327

Αριθμός μέρους κατασκευαστή BSP129L6327
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο PG-SOT223-4-21
Σε απόθεμα 393833 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1039
$0.117
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 393833 κομμάτια του Infineon Technologies BSP129L6327 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-SOT223-4-21
Σειρά SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1.8W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 108 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 5.7 nC @ 5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό Depletion Mode
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 240 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 350mA (Ta)

Συνιστώμενα προϊόντα

BSP129L6327 Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το BSP129L6327

Σχετικά μέρη για το BSP129L6327