Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

BSP171PE6327

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSP171PE6327
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Πακέτο	PG-SOT223-4
Σε απόθεμα	5850 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Multiple Devices 28/Mar/2008

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5850 κομμάτια του Infineon Technologies BSP171PE6327 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 460µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-SOT223-4
Σειρά	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1.9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.8W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	460 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	20 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)