BSP88L6327

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSP88L6327
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο	PG-SOT223-4-21
Σε απόθεμα	6179 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6179 κομμάτια του Infineon Technologies BSP88L6327 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 108µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-SOT223-4-21
Σειρά	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 350mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.8W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	95 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	2.8V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	240 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	350mA (Ta)