BSZ100N06LS3GATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSZ100N06LS3GATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON |
Πακέτο | PG-TSDSON-8 |
Σε απόθεμα | 186921 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.429 | $0.383 | $0.298 | $0.247 | $0.195 | $0.182 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 186921 κομμάτια του Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TSDSON-8 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 20A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | BSZ100 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETSInfineon Technologies -
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25Infineon Technologies -
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSG
OPTLMOS POWER-MOSFETInfineon Technologies