Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

BTS282ZE3180AATMA2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BTS282ZE3180AATMA2
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Πακέτο	PG-TO263-7-1
Σε απόθεμα	25229 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Mult Dev Tester Chg 17/Jun/2019

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$2.603	$2.35	$1.946	$1.694

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 25229 κομμάτια του Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 240µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO263-7-1
Σειρά	TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 36A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	300W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	232 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	Temperature Sensing Diode
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	49 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	BTS282