BUZ101SL

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BUZ101SL
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο	PG-TO220-3-1
Σε απόθεμα	4813 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4813 κομμάτια του Infineon Technologies BUZ101SL σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Vgs (Max)	±14V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO220-3-1
Σειρά	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 14A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	55W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)