Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Infineon Technologies

FF6MR12W2M1HB11BPSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή EASYDUAL MODULE WITH COOLSIC TRE
Πακέτο Module
Σε απόθεμα 538 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 15 30
$77.668 $74.385 $72.744
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 538 κομμάτια του Infineon Technologies FF6MR12W2M1HB11BPSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.15V @ 60mA
Τεχνολογία Silicon Carbide (SiC)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή Module
Σειρά CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 150A, 18V
Ισχύς - Max 20mW
Συσκευασία / υπόθεση Module
Πακέτο Tray
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Chassis Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 800V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 446nC @ 18V
FET Χαρακτηριστικό Silicon Carbide (SiC)
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 145A (Tj)
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Half Bridge)
Αριθμός προϊόντος βάσης FF6MR12

Συνιστώμενα προϊόντα

FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το FF6MR12W2M1HB11BPSA1

Σχετικά μέρη για το FF6MR12W2M1HB11BPSA1