IGT60R042D1ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IGT60R042D1ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | GAN HV |
| Πακέτο | PG-HSOF-8-3 |
| Σε απόθεμα | 7794 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 2000 |
|---|
| $5.271 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 7794 κομμάτια του Infineon Technologies IGT60R042D1ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - |
| Τεχνολογία | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-HSOF-8-3 |
| Σειρά | CoolGaN™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | - |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerSFN |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | - |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| FET Τύπος | - |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | - |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | - |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IGT40R070D1E8220ATMA1
MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3Infineon Technologies -
IGT250
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT249
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT205
INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR, 18MMifm efector, inc. -
IGT6D11
10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT6E10
10A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT40R070D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT6D10
10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOFInfineon Technologies -
IGT203
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =ifm efector, inc. -
IGT60R070D1E8220ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT60R070D1ATMA4
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IGT60R190D1ATMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGT5259CW50
GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BANDIntegra Technologies Inc. -
IGT2731M130
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BANDIntegra Technologies Inc. -
IGT6D21
20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT5E10CS
N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APPHarris Corporation -
IGT6D20
20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVEHarris Corporation -
IGT247
INDUCTIVE PROXIMITY SENSOR, 18MMifm efector, inc.