IMZ120R140M1HXKSA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IMZ120R140M1HXKSA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4 |
| Πακέτο | PG-TO247-4-1 |
| Σε απόθεμα | 15343 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $4.24 | $3.896 | $3.291 | $2.927 | $2.685 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 15343 κομμάτια του Infineon Technologies IMZ120R140M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO247-4-1 |
| Σειρά | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 6A, 18V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 94W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-4 |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 800 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 13 nC @ 18 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 1200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IMZ120 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IMZA65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ9972BA
IMZ9972BACypress Semiconductor Corp -
IMZA120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ1AS-AU_S1_000A1
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZ120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4Infineon Technologies -
IMZA120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ1AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZ4T108
TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZ2A_R1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ2AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4Infineon Technologies -
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4Infineon Technologies -
IMZA120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ1AS_S1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc.