IPB108N15N3GATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB108N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 25167 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.118 | $1.904 | $1.56 | $1.328 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 25167 κομμάτια του Infineon Technologies IPB108N15N3GATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 83A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 214W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 75 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 150 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB108 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB108N15N3G
IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N06S3L-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3Infineon Technologies -
IPB11N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3Infineon Technologies -
IPB120N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N10S305ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB100N12S305ATMA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB110N06L G
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263Infineon Technologies -
IPB100P03P3L-04
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB10N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies