IPB12CN10N G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPB12CN10N G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK |
| Πακέτο | PG-TO263-3 |
| Σε απόθεμα | 6923 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMultiple Devices 11/Dec/2009 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6923 κομμάτια του Infineon Technologies IPB12CN10N G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO263-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 67A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 125W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPB12C |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120N06S4H1ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB136N08N3GATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB13N03LB
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3Infineon Technologies -
IPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB140N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7Infineon Technologies -
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAKInfineon Technologies -
IPB147N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB13N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120P04P404ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB13N03LBG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAKInfineon Technologies