Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB80N03S4L-03ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N03S4L-03ATMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IPB80N03S4L-03ATMA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο PG-TO263-3-2
Σε απόθεμα 4987 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4987 κομμάτια του Infineon Technologies IPB80N03S4L-03ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 45µA
Vgs (Max) ±16V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO263-3-2
Σειρά OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 94W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 75 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IPB80N03S4L-03ATMA1 Φύλλο δεδομένων PDF