IPC50N04S55R8ATMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPC50N04S55R8ATMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Πακέτο	PG-TDSON-8-33
Σε απόθεμα	200729 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019 Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 IPCyyN04S5 Assembly Chgs 23/Oct/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$0.395	$0.354	$0.276	$0.228	$0.18	$0.168

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 200729 κομμάτια του Infineon Technologies IPC50N04S55R8ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 13µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TDSON-8-33
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	42W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-PowerTDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	18 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	40 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPC50N