IPD090N03LGBTMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD090N03LGBTMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3 |
Σε απόθεμα | 452563 pcs |
Φύλλο δεδομένων | IP(D,F,S,U)090N03L GPart Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
---|---|---|---|
$0.098 | $0.091 | $0.087 | $0.085 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 452563 κομμάτια του Infineon Technologies IPD090N03LGBTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 42W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD090 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD079N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-GP-R
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-K
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-K-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies