IPD50N06S4L08ATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD50N06S4L08ATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
Σε απόθεμα | 5244 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5244 κομμάτια του Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
Σειρά | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 50A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 71W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4780 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD50 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-06
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S2-14
IPD50N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N12S3L15ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50P04P413ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3Infineon Technologies