IPD50R500CEATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD50R500CEATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3 |
| Σε απόθεμα | 5120 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Devices EOL 31/Aug/2017Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5120 κομμάτια του Infineon Technologies IPD50R500CEATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
| Σειρά | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 57W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD50R |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252Infineon Technologies -
IPD50R2K0CEBTMA1
CONSUMERInfineon Technologies -
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R520CPATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252Infineon Technologies -
IPD50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R380CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R520CP
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R500CE
IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANNInfineon Technologies -
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R399CPATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R399CPBTMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R3K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R500CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R520CPBTMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R800CE
IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANNInfineon Technologies