IPI030N10N3GXKSA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPI030N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| Πακέτο | PG-TO262-3 |
| Σε απόθεμα | 5476 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017Mult Dev EOL 13/Apr/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5476 κομμάτια του Infineon Technologies IPI030N10N3GXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO262-3 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 300W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPI030 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GE8214AKSA1
MOSFET N-CH 60V TO262-3Infineon Technologies -
IPI041N12N3G
IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI023NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3Infineon Technologies -
IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3Infineon Technologies -
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3Infineon Technologies -
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262Infineon Technologies