Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPI80N06S2L11AKSA2
Infineon Technologies

IPI80N06S2L11AKSA2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IPI80N06S2L11AKSA2
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Πακέτο PG-TO262-3-1
Σε απόθεμα 4621 pcs
Φύλλο δεδομένων IPx80N06S2L-11Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Mult Dev EOL 9/Sep/2019
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4621 κομμάτια του Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 93µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO262-3-1
Σειρά OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 158W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2075 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 80 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IPI80N

Συνιστώμενα προϊόντα

IPI80N06S2L11AKSA2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων