IPN95R2K0P7ATMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPN95R2K0P7ATMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Πακέτο	PG-SOT223
Σε απόθεμα	140547 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.522	$0.467	$0.364	$0.301	$0.237

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 140547 κομμάτια του Infineon Technologies IPN95R2K0P7ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 80µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-SOT223
Σειρά	CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 1.7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	950 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPN95R2