IPS80R2K4P7AKMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS80R2K4P7AKMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3
Σε απόθεμα	263888 pcs
Φύλλο δεδομένων	CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1500
$0.168

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 263888 κομμάτια του Infineon Technologies IPS80R2K4P7AKMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3
Σειρά	CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 800mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	22W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 500 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IPS80R2