IPT022N10NF2SATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET |
| Πακέτο | PG-HSOF-8 |
| Σε απόθεμα | 34654 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.091 | $1.878 | $1.539 | $1.31 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 34654 κομμάτια του Infineon Technologies IPT022N10NF2SATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 169µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-HSOF-8 |
| Σειρά | StrongIRFET™ 2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25mOhm @ 150A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerSFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 50 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 236A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPT039N15N5ATMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT054N15N5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8Infineon Technologies -
IPT063N15N5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInfineon Technologies -
IPT014N10N5ATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPT044N15N5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT030N12N3GATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPT039N15N5XTMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT013N08NM5LFATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Infineon Technologies -
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT015N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8Infineon Technologies -
IPT020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT043N15N5ATMA1
MV POWER MOSInfineon Technologies -
IPT026N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOFInfineon Technologies -
IPT017N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies