Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPW65R190E6
Infineon Technologies

IPW65R190E6

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IPW65R190E6
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο PG-TO247-3-41
Σε απόθεμα 51389 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
160
$0.681
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 51389 κομμάτια του Infineon Technologies IPW65R190E6 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO247-3-41
Σειρά CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 151W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 73 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IPW65R190E6 Φύλλο δεδομένων PDF