Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRF6718L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6718L2TR1PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRF6718L2TR1PBF
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Πακέτο DIRECTFET L6
Σε απόθεμα 6614 pcs
Φύλλο δεδομένων IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 20/Dec/2013IRF6718L2TR(1)PbF
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6614 κομμάτια του Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DIRECTFET L6
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 61A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση DirectFET™ Isometric L6
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 13 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 96 nC @ 4.5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 61A (Ta), 270A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRF6718L2TR1PBF Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων