Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF7341GTRPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF7341GTRPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 55V 5.1A
Πακέτο	8-SO
Σε απόθεμα	94958 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Label Chgs Aug/2020 IR Part Numbering System Package Drawing Update 19/Aug/2015 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$0.846	$0.759	$0.61	$0.501	$0.415	$0.386

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 94958 κομμάτια του Infineon Technologies IRF7341GTRPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SO
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V
Ισχύς - Max	2.4W
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	44nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό	-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	55V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.1A
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF734