Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRFH3707TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH3707TR2PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRFH3707TR2PBF
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Πακέτο 8-PQFN (3x3)
Σε απόθεμα 5971 pcs
Φύλλο δεδομένων Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5971 κομμάτια του Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-PQFN (3x3)
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.8W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση 8-PowerVDFN
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 29A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRFH3707TR2PBF Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων