Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies

IRFHM830DTRPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRFHM830DTRPBF
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Πακέτο PQFN (3x3)
Σε απόθεμα 4840 pcs
Φύλλο δεδομένων Package Drawing Update 19/Aug/2015Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016Gate Wire Size Update 16/Dec/2014Additional Assembly Site 10/Jul/2014
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4840 κομμάτια του Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PQFN (3x3)
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 8-VQFN Exposed Pad
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1797 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 27 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRFHM830DTRPBF Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων