Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRFS7762PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRFS7762PBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263AB)
Σε απόθεμα	6072 pcs
Φύλλο δεδομένων	IR Part Numbering System Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017 Package Drawing Update 19/Aug/2015 Pkg Type Disc 16/May/2016

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6072 κομμάτια του Infineon Technologies IRFS7762PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 100µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263AB)
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 51A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	140W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4440 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	130 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	75 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)