Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRL530NSTRRPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRL530NSTRRPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	83936 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Package Drawing Update 19/Aug/2015 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019 Material Chg 24/Nov/2015 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$0.661	$0.595	$0.478

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 83936 κομμάτια του Infineon Technologies IRL530NSTRRPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.8W (Ta), 79W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	34 nC @ 5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRL530