Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

ISP650P06NMXTSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	ISP650P06NMXTSA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Πακέτο	PG-SOT223-4
Σε απόθεμα	101935 pcs
Φύλλο δεδομένων	OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 Mult Dev Pkg Update 28/May/2020 Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020 Power, Sensing Selection Guide 2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$0.668	$0.601	$0.483	$0.397

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 101935 κομμάτια του Infineon Technologies ISP650P06NMXTSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.037mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-SOT223-4
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-261-4, TO-261AA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	39 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	ISP650