Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

ISS55EP06LMXTSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	ISS55EP06LMXTSA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Πακέτο	PG-SOT23-3-5
Σε απόθεμα	1576217 pcs
Φύλλο δεδομένων	OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 Power, Sensing Selection Guide 2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.152	$0.124	$0.066	$0.043	$0.029

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 1576217 κομμάτια του Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-SOT23-3-5
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5Ohm @ 180mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	400mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	18 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	0.59 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	180mA (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	ISS55EP06