DMG3415UFY4Q-7-52

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMG3415UFY4Q-7-52
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Πακέτο	X2-DFN2015-3
Σε απόθεμα	1057317 pcs
Φύλλο δεδομένων	DMG3415UFY4Q

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000
$0.042

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 1057317 κομμάτια του Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7-52 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X2-DFN2015-3
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	650mW
Συσκευασία / υπόθεση	3-XDFN
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	282 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	16 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMG3415