Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated

DMG4N60SJ3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή DMG4N60SJ3
Κατασκευαστής Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Πακέτο TO-251
Σε απόθεμα 3846 pcs
Φύλλο δεδομένων DMG4N60SJ3Diodes Environmental Compliance CertMult Devices EOL 05/Feb/2019
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 3846 κομμάτια του Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-251
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 41W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 532 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης DMG4

Συνιστώμενα προϊόντα

DMG4N60SJ3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων